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APTGT200A120G

APTGT200A120G

僅供參考

型號 APTGT200A120G
PNEDA編號 APTGT200A120G
描述 POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 30 - 四月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT200A120G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT200A120G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGT200A120G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)280A
功率-最大890W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 200A
當前-集電極截止(最大值)350µA
輸入電容(Cies)@ Vce14nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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功率-最大

130W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

600µA

輸入電容(Cies)@ Vce

16nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

600W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.4V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

15nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

270A

功率-最大

1130W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

10mA

輸入電容(Cies)@ Vce

11nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

功率-最大

205W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

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功率-最大

1950W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.75V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

20nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

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