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APTGT50A120D1G

APTGT50A120D1G

僅供參考

型號 APTGT50A120D1G
PNEDA編號 APTGT50A120D1G
描述 IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,736
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT50A120D1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT50A120D1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGT50A120D1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)75A
功率-最大270W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce3.6nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱D1
供應商設備包裝D1

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

82A

功率-最大

345W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

功率-最大

20mW

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

600pF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

APTGT100DA170TG

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

560W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

9nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP4

供應商設備包裝

SP4

FP40R12KT3GBOSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

功率-最大

210W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 401A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

APT30GF60JU2

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

58A

功率-最大

192W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

40µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.85nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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