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APTGT50H120T3G

APTGT50H120T3G

僅供參考

型號 APTGT50H120T3G
PNEDA編號 APTGT50H120T3G
描述 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT50H120T3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT50H120T3G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGT50H120T3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)75A
功率-最大270W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce3.6nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP3
供應商設備包裝SP3

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功率-最大

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2V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

8.55nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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2.7V @ 15V, 40A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

350µA

輸入電容(Cies)@ Vce

12.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.93V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.44nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

450A

功率-最大

1560W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 360A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

17nF @ 25V

輸入

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No

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