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APTGT600DU60G

APTGT600DU60G

僅供參考

型號 APTGT600DU60G
PNEDA編號 APTGT600DU60G
描述 IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,768
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT600DU60G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT600DU60G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGT600DU60G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Dual, Common Source
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)700A
功率-最大2300W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.8V @ 15V, 600A
當前-集電極截止(最大值)750µA
輸入電容(Cies)@ Vce49nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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600A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

45.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

550A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 450A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

37nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

400W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

10nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

600A

功率-最大

20mW

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

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Module

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IGBT類型

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配置

Full Bridge Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

400W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.5nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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