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APTGTQ100A65T1G

APTGTQ100A65T1G

僅供參考

型號 APTGTQ100A65T1G
PNEDA編號 APTGTQ100A65T1G
描述 POWER MODULE - IGBT
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,840
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGTQ100A65T1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGTQ100A65T1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGTQ100A65T1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
功率-最大250W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.2V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)100µA
輸入電容(Cies)@ Vce6nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝SP1

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

350W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 20V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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制造商

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系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

功率-最大

1100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

15µA

輸入電容(Cies)@ Vce

12.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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制造商

IXYS

系列

GenX3™, XPT™

IGBT類型

PT

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

170A

功率-最大

600W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 70A

當前-集電極截止(最大值)

25µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SOT-227-4, miniBLOC

供應商設備包裝

SOT-227B

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

-

配置

T-Type

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65A

功率-最大

146W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 80A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.99nF @ 20V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

24.5A

功率-最大

82W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

600µA

輸入電容(Cies)@ Vce

8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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