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APTM100A13SG

APTM100A13SG

僅供參考

型號 APTM100A13SG
PNEDA編號 APTM100A13SG
描述 MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,470
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM100A13SG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM100A13SG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM100A13SG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)65A
Rds On(Max)@ Id,Vgs156mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 6mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs562nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds15200pF @ 25V
功率-最大1250W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.6W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 25V

功率-最大

2.5W

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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