APTM100H80FT1G
僅供參考
| 型號 | APTM100H80FT1G |
| PNEDA編號 | APTM100H80FT1G |
| 描述 | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 |
| 制造商 | Microsemi |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 8,568 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸) |
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APTM100H80FT1G資源
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APTM100H80FT1G規格
| 制造商 | Microsemi Corporation |
| 系列 | - |
| FET類型 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET功能 | Standard |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 1000V (1kV) |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 11A |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 960mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 5V @ 1mA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 150nC @ 10V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 3876pF @ 25V |
| 功率-最大 | 208W |
| 工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Chassis Mount |
| 包裝/箱 | SP1 |
| 供應商設備包裝 | SP1 |
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