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APTM100TDU35PG

APTM100TDU35PG

僅供參考

型號 APTM100TDU35PG
PNEDA編號 APTM100TDU35PG
描述 MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,210
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM100TDU35PG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM100TDU35PG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
APTM100TDU35PG, APTM100TDU35PG數據表 (總頁數: 6, 大小: 290.65 KB)
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APTM100TDU35PG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A
Rds On(Max)@ Id,Vgs420mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs186nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5200pF @ 25V
功率-最大390W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6-P

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

888pF @ 15V

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安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

690pF @ 25V

功率-最大

2W

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A, 3.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

480pF @ 10V

功率-最大

1.74W

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FET類型

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

1200V (1.2kV)

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

187nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5155pF @ 25V

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