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APTM100UM45DAG

APTM100UM45DAG

僅供參考

型號 APTM100UM45DAG
PNEDA編號 APTM100UM45DAG
描述 MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,974
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM100UM45DAG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM100UM45DAG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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APTM100UM45DAG規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)215A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs52mOhm @ 107.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 30mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1602nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds42700pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)5000W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SP6
包裝/箱SP6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

106nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5330pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1650pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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35.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3630pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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