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APTM100UM60FAG

APTM100UM60FAG

僅供參考

型號 APTM100UM60FAG
PNEDA編號 APTM100UM60FAG
描述 MOSFET N-CH 1000V 129A SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM100UM60FAG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM100UM60FAG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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APTM100UM60FAG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)129A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 64.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 15mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1116nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds31100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2272W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SP6
包裝/箱SP6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

650mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2290pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

94nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3737pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

39W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

85nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

960W (Tc)

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