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APTM100UM65SCAVG

APTM100UM65SCAVG

僅供參考

型號 APTM100UM65SCAVG
PNEDA編號 APTM100UM65SCAVG
描述 MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,190
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 10 - 一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM100UM65SCAVG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM100UM65SCAVG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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APTM100UM65SCAVG規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)145A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs78mOhm @ 72.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 20mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1068nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds28500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3250W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SP6
包裝/箱Module

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3200pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

94W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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FET類型

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.7A (Ta), 24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

584pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

2500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450Ohm @ 50mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

116pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta), 180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7820pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta), 333W (Tc)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 59A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

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