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APTM10AM02FG

APTM10AM02FG

僅供參考

型號 APTM10AM02FG
PNEDA編號 APTM10AM02FG
描述 MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,032
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM10AM02FG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM10AM02FG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM10AM02FG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)495A
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.5mOhm @ 200A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 10mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1360nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds40000pF @ 25V
功率-最大1250W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

888pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1130pF @ 15V

功率-最大

900mW

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

300A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.2mOhm @ 150A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 6mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

325nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18500pF @ 25V

功率-最大

1250W

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