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APTM10DUM02G

APTM10DUM02G

僅供參考

型號 APTM10DUM02G
PNEDA編號 APTM10DUM02G
描述 MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,898
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM10DUM02G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM10DUM02G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM10DUM02G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)495A
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.5mOhm @ 200A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 10mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1360nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds40000pF @ 25V
功率-最大1250W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

43pF @ 10V

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A, 4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.4nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 10V

功率-最大

2W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.15V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 15V

功率-最大

8.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2152pF @ 25V

功率-最大

53W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.59nC @ 4.5V

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