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APTM10DUM05TG

APTM10DUM05TG

僅供參考

型號 APTM10DUM05TG
PNEDA編號 APTM10DUM05TG
描述 MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,546
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM10DUM05TG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM10DUM05TG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
APTM10DUM05TG, APTM10DUM05TG數據表 (總頁數: 6, 大小: 200.47 KB)
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APTM10DUM05TG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)278A
Rds On(Max)@ Id,Vgs5mOhm @ 125A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs700nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds20000pF @ 25V
功率-最大780W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7Ohm @ 1A, 10V, 8Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 25V, 200pF @ 25V

功率-最大

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

87nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3890pF @ 25V

功率-最大

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

170mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 170mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20pF @ 30V

功率-最大

325mW

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta), 5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.8nC @ 10V, 22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 20V, 1175pF @ 20V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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