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APTM10SKM02G

APTM10SKM02G

僅供參考

型號 APTM10SKM02G
PNEDA編號 APTM10SKM02G
描述 MOSFET N-CH 100V 495A SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,364
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM10SKM02G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM10SKM02G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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APTM10SKM02G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)495A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.5mOhm @ 200A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 10mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1360nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds40000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1250W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SP6
包裝/箱SP6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

870mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

119nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta), 32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

964pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

860mW (Ta), 33.8W (Tc)

工作溫度

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50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.6mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1639pF @ 15V

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2W (Tc)

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