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APTM10TDUM09PG

APTM10TDUM09PG

僅供參考

型號 APTM10TDUM09PG
PNEDA編號 APTM10TDUM09PG
描述 MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,726
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM10TDUM09PG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM10TDUM09PG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM10TDUM09PG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)139A
Rds On(Max)@ Id,Vgs10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs350nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9875pF @ 25V
功率-最大390W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6-P

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

188mOhm @ 900mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

88pF @ 10V

功率-最大

800mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-SMD, Flat Leads

供應商設備包裝

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制造商

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18.5A (Ta), 49A (Tc), 27A (Ta), 85A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.3mOhm @ 20A, 10V, 2.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V, 40nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

820pF @ 15V, 1890pF @ 15V

功率-最大

3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 31.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-PowerSMD, Flat Leads

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.5mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

913pF @ 15V

功率-最大

2.4W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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包裝/箱

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