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APTM120H57FTG

APTM120H57FTG

僅供參考

型號 APTM120H57FTG
PNEDA編號 APTM120H57FTG
描述 MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,118
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 15 - 十一月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM120H57FTG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM120H57FTG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
APTM120H57FTG, APTM120H57FTG數據表 (總頁數: 6, 大小: 293.12 KB)
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APTM120H57FTG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)17A
Rds On(Max)@ Id,Vgs684mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs187nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5155pF @ 25V
功率-最大390W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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