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APTM20AM08FTG

APTM20AM08FTG

僅供參考

型號 APTM20AM08FTG
PNEDA編號 APTM20AM08FTG
描述 MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM20AM08FTG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM20AM08FTG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM20AM08FTG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)208A
Rds On(Max)@ Id,Vgs10mOhm @ 104A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs280nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14400pF @ 25V
功率-最大781W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 220mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

100pF @ 16V

功率-最大

350mW

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1720pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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