APTM20DHM10G
僅供參考
型號 | APTM20DHM10G |
PNEDA編號 | APTM20DHM10G |
描述 | MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6 |
制造商 | Microsemi |
單價 | 請求報價 |
庫存 | 7,794 |
倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
預計交貨 | 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸) |
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APTM20DHM10G資源
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APTM20DHM10G規格
制造商 | Microsemi Corporation |
系列 | - |
FET類型 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
FET功能 | Standard |
漏極至源極電壓(Vdss) | 200V |
電流-25°C時的連續漏極(Id) | 175A |
Rds On(Max)@ Id,Vgs | 12mOhm @ 87.5A, 10V |
Vgs(th)(最大)@ ID | 5V @ 5mA |
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 224nC @ 10V |
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds | 13700pF @ 25V |
功率-最大 | 694W |
工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Chassis Mount |
包裝/箱 | SP6 |
供應商設備包裝 | SP6 |
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