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APTM20DUM04G

APTM20DUM04G

僅供參考

型號 APTM20DUM04G
PNEDA編號 APTM20DUM04G
描述 MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,088
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM20DUM04G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM20DUM04G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM20DUM04G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)372A
Rds On(Max)@ Id,Vgs5mOhm @ 186A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 10mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs560nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds28900pF @ 25V
功率-最大1250W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 9.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3450pF @ 10V

功率-最大

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8A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2367pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 28µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4020pF @ 25V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4230pF @ 20V

功率-最大

50W

工作溫度

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