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APTM20DUM08TG

APTM20DUM08TG

僅供參考

型號 APTM20DUM08TG
PNEDA編號 APTM20DUM08TG
描述 MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,688
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM20DUM08TG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM20DUM08TG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM20DUM08TG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)208A
Rds On(Max)@ Id,Vgs10mOhm @ 104A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs280nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14400pF @ 25V
功率-最大781W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Ta), 15A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.3mOhm @ 4A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 15V

功率-最大

2.16W (Ta)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

95A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14400pF @ 25V

功率-最大

462W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP4

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SP4

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制造商

Microsemi Corporation

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Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

560nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

28000pF @ 25V

功率-最大

1250W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

324pF @ 10V

功率-最大

700mW

工作溫度

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Surface Mount

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