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APTM50DHM35G

APTM50DHM35G

僅供參考

型號 APTM50DHM35G
PNEDA編號 APTM50DHM35G
描述 MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,124
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM50DHM35G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM50DHM35G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
APTM50DHM35G, APTM50DHM35G數據表 (總頁數: 6, 大小: 278.96 KB)
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APTM50DHM35G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)99A
Rds On(Max)@ Id,Vgs39mOhm @ 49.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs280nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14000pF @ 25V
功率-最大781W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A, 11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.2mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

920pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

455pF @ 6V

功率-最大

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FET類型

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 5V

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