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APTM50DHM38G

APTM50DHM38G

僅供參考

型號 APTM50DHM38G
PNEDA編號 APTM50DHM38G
描述 MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,230
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 9 - 一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM50DHM38G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM50DHM38G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM50DHM38G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)90A
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs246nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11200pF @ 25V
功率-最大694W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.7W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

330mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

功率-最大

3W

工作溫度

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.9nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

275pF @ 20V

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

505pF @ 20V

功率-最大

1W

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

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