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APTM50HM35FG

APTM50HM35FG

僅供參考

型號 APTM50HM35FG
PNEDA編號 APTM50HM35FG
描述 MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,870
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM50HM35FG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM50HM35FG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM50HM35FG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)99A
Rds On(Max)@ Id,Vgs39mOhm @ 49.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs280nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14000pF @ 25V
功率-最大781W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.6A, 6.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1810pF @ 20V

功率-最大

1.2W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1310pF @ 15V

功率-最大

1.3W

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

610pF @ 25V

功率-最大

1.4W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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