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APTM60A23FT1G

APTM60A23FT1G

僅供參考

型號 APTM60A23FT1G
PNEDA編號 APTM60A23FT1G
描述 MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,212
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM60A23FT1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM60A23FT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
APTM60A23FT1G, APTM60A23FT1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 139.62 KB)
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APTM60A23FT1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A
Rds On(Max)@ Id,Vgs276mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs165nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5316pF @ 25V
功率-最大208W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.4A, 3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

225mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 220mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

功率-最大

200mW

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A, 28A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 15V

功率-最大

29W, 100W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

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