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APTMC120HM17CT3AG

APTMC120HM17CT3AG

僅供參考

型號 APTMC120HM17CT3AG
PNEDA編號 APTMC120HM17CT3AG
描述 POWER MODULE - SIC MOSFET
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,826
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTMC120HM17CT3AG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTMC120HM17CT3AG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTMC120HM17CT3AG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型4 N-Channel
FET功能Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)147A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs17mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 30mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs332nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5576pF @ 1000V
功率-最大750W
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝SP3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

540mA, 430mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

72pF @ 16V

功率-最大

250mW

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.8A, 1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

188mOhm @ 900mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

88pF @ 10V

功率-最大

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 20V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A, 3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

64mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 10V

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