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APTMC60TLM14CAG

APTMC60TLM14CAG

僅供參考

型號 APTMC60TLM14CAG
PNEDA編號 APTMC60TLM14CAG
描述 MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTMC60TLM14CAG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTMC60TLM14CAG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTMC60TLM14CAG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET功能Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)219A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 150A, 20V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 30mA (Typ)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs483nC @ 20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8400pF @ 1000V
功率-最大925W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Ta), 136A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1140pF @ 30V

功率-最大

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

700mA (Ta), 600mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

113pF @ 10V, 114pF @ 10V

功率-最大

300mW (Ta)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Advanced Linear Devices Inc.

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

75Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 5V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

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