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APTML1002U60R020T3AG

APTML1002U60R020T3AG

僅供參考

型號 APTML1002U60R020T3AG
PNEDA編號 APTML1002U60R020T3AG
描述 MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,308
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTML1002U60R020T3AG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTML1002U60R020T3AG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTML1002U60R020T3AG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A
Rds On(Max)@ Id,Vgs720mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6000pF @ 25V
功率-最大520W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP3
供應商設備包裝SP3

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.13A, 880mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 1.13A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

570mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.1A, 3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 25V

功率-最大

1.25W

工作溫度

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 12.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

35V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

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