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APTSM120AM25CT3AG

APTSM120AM25CT3AG

僅供參考

型號 APTSM120AM25CT3AG
PNEDA編號 APTSM120AM25CT3AG
描述 POWER MODULE - SIC
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,444
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTSM120AM25CT3AG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTSM120AM25CT3AG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTSM120AM25CT3AG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual), Schottky
FET功能Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)148A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 80A, 20V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs544nC @ 20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10200pF @ 1000V
功率-最大937W
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP3
供應商設備包裝SP3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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制造商

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 25V

功率-最大

2.4W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.8A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1438pF @ 15V

功率-最大

1.7W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A (Ta), 2.3A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3A, 10V, 135mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.34nC @ 4.5V, 4.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

390pF @ 15V, 409pF @ 15V

功率-最大

1.15W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

95A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

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