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AR4PJHM3/86A

AR4PJHM3/86A

僅供參考

型號 AR4PJHM3/86A
PNEDA編號 AR4PJHM3-86A
描述 DIODE AVALANCHE 600V 2A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,650
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AR4PJHM3/86A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AR4PJHM3/86A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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AR4PJHM3/86A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Avalanche
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)2A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.6V @ 4A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)140ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F77pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

80A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 50A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

115ns

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 600V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 80V

電容@ Vr,F

3pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

250mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.5V @ 250mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 4000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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