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AS3PDHM3_A/I

AS3PDHM3_A/I

僅供參考

型號 AS3PDHM3_A/I
PNEDA編號 AS3PDHM3_A-I
描述 DIODE AVALANCHE 200V 2.1A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,950
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS3PDHM3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS3PDHM3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
AS3PDHM3_A/I, AS3PDHM3_A/I數據表 (總頁數: 5, 大小: 91.21 KB)
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AS3PDHM3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, eSMP®
二極管類型Avalanche
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)2.1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.2µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F37pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 40V

電容@ Vr,F

1.5pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

9.5mA @ 200V

電容@ Vr,F

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400V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.46V @ 220A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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