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AS4C128M8D2A-25BCNTR

AS4C128M8D2A-25BCNTR

僅供參考

型號 AS4C128M8D2A-25BCNTR
PNEDA編號 AS4C128M8D2A-25BCNTR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 8,568
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C128M8D2A-25BCNTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C128M8D2A-25BCNTR
類別半導體內存IC內存

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AS4C128M8D2A-25BCNTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間400ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-FBGA (8x10)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TFBGA

供應商設備包裝

54-TFBGA (8x8)

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制造商

Microchip Technology

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

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內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2.1MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

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電壓-供電

1.8V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-PDIP

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內存格式

-

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內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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安裝類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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