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AS4C128M8D3B-12BCNTR

AS4C128M8D3B-12BCNTR

僅供參考

型號 AS4C128M8D3B-12BCNTR
PNEDA編號 AS4C128M8D3B-12BCNTR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 2,718
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 15 - 四月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C128M8D3B-12BCNTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C128M8D3B-12BCNTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C128M8D3B-12BCNTR, AS4C128M8D3B-12BCNTR數據表 (總頁數: 85, 大小: 2,025.86 KB)
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AS4C128M8D3B-12BCNTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-VFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (8x10.5)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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寫周期-字,頁

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