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AS4C128MD2-25BCNTR

AS4C128MD2-25BCNTR

僅供參考

型號 AS4C128MD2-25BCNTR
PNEDA編號 AS4C128MD2-25BCNTR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 7,560
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C128MD2-25BCNTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C128MD2-25BCNTR
類別半導體內存IC內存

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AS4C128MD2-25BCNTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間400ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-FBGA (8x10)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

100ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

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安裝類型

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內存接口

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電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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