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AS4C2M32S-7BCNTR

AS4C2M32S-7BCNTR

僅供參考

型號 AS4C2M32S-7BCNTR
PNEDA編號 AS4C2M32S-7BCNTR
描述 IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 2,412
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C2M32S-7BCNTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C2M32S-7BCNTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C2M32S-7BCNTR, AS4C2M32S-7BCNTR數據表 (總頁數: 53, 大小: 1,653.36 KB)
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AS4C2M32S-7BCNTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小64Mb (2M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率143MHz
寫周期-字,頁2ns
訪問時間5.4ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-TFBGA
供應商設備包裝90-TFBGA (8x13)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

STMicroelectronics

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

32Kb (4K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

64-FBGA (11x13)

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

52MHz

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65ns

訪問時間

65ns

電壓-供電

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-40°C ~ 85°C (TA)

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