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AS4C32M16D1-5BIN

AS4C32M16D1-5BIN

僅供參考

型號 AS4C32M16D1-5BIN
PNEDA編號 AS4C32M16D1-5BIN
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 8,196
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 25 - 四月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C32M16D1-5BIN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C32M16D1-5BIN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C32M16D1-5BIN, AS4C32M16D1-5BIN數據表 (總頁數: 63, 大小: 1,270.17 KB)
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AS4C32M16D1-5BIN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小512Mb (32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-TFBGA (8x13)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

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Micron Technology Inc.

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

4Gb (512M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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時鐘頻率

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訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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