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AS4C32M16D3-12BCN

AS4C32M16D3-12BCN

僅供參考

型號 AS4C32M16D3-12BCN
PNEDA編號 AS4C32M16D3-12BCN
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 9,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C32M16D3-12BCN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C32M16D3-12BCN
類別半導體內存IC內存
數據表
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AS4C32M16D3-12BCN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小512Mb (32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-VFBGA
供應商設備包裝96-FBGA (8x13)

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時鐘頻率

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電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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時鐘頻率

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電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

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時鐘頻率

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電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-供電

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Fremont Micro Devices Ltd

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

800kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

700ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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