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AS4C512M8D3-12BCNTR

AS4C512M8D3-12BCNTR

僅供參考

型號 AS4C512M8D3-12BCNTR
PNEDA編號 AS4C512M8D3-12BCNTR
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 5,022
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C512M8D3-12BCNTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C512M8D3-12BCNTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C512M8D3-12BCNTR, AS4C512M8D3-12BCNTR數據表 (總頁數: 84, 大小: 2,085.23 KB)
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AS4C512M8D3-12BCNTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (9x10.5)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP II

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

32-TSOP II

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, DDR II+

內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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