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AS4C64M16D3-12BIN

AS4C64M16D3-12BIN

僅供參考

型號 AS4C64M16D3-12BIN
PNEDA編號 AS4C64M16D3-12BIN
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 3,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C64M16D3-12BIN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C64M16D3-12BIN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C64M16D3-12BIN, AS4C64M16D3-12BIN數據表 (總頁數: 89, 大小: 2,168.01 KB)
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AS4C64M16D3-12BIN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小1Gb (64M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-TFBGA
供應商設備包裝96-FBGA (13x9)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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時鐘頻率

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內存類型

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技術

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內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

450ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

84-TFBGA

供應商設備包裝

84-TWBGA (8x12.5)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

80MHz

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Parallel

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寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

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