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AS4C64M16MD1A-5BINTR

AS4C64M16MD1A-5BINTR

僅供參考

型號 AS4C64M16MD1A-5BINTR
PNEDA編號 AS4C64M16MD1A-5BINTR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 14 - 四月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C64M16MD1A-5BINTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C64M16MD1A-5BINTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C64M16MD1A-5BINTR, AS4C64M16MD1A-5BINTR數據表 (總頁數: 64, 大小: 1,811.64 KB)
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AS4C64M16MD1A-5BINTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小1Gb (64M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間5ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-VFBGA
供應商設備包裝60-FBGA (8x9)

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Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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