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AS4C8M16S-6BINTR

AS4C8M16S-6BINTR

僅供參考

型號 AS4C8M16S-6BINTR
PNEDA編號 AS4C8M16S-6BINTR
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 3,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C8M16S-6BINTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C8M16S-6BINTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C8M16S-6BINTR, AS4C8M16S-6BINTR數據表 (總頁數: 55, 大小: 568.13 KB)
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AS4C8M16S-6BINTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小128Mb (8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁2ns
訪問時間5ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TFBGA
供應商設備包裝54-TFBGA (8x8)

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

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電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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寫周期-字,頁

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