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AS4C8M16S-6TCN

AS4C8M16S-6TCN

僅供參考

型號 AS4C8M16S-6TCN
PNEDA編號 AS4C8M16S-6TCN
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 2,448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 31 - 一月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C8M16S-6TCN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C8M16S-6TCN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C8M16S-6TCN, AS4C8M16S-6TCN數據表 (總頁數: 52, 大小: 2,794.92 KB)
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AS4C8M16S-6TCN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小128Mb (8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁2ns
訪問時間5ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝54-TSOP II

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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Micron Technology Inc.

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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工作溫度

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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制造商

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-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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