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AS6C3216-55BINTR

AS6C3216-55BINTR

僅供參考

型號 AS6C3216-55BINTR
PNEDA編號 AS6C3216-55BINTR
描述 IC SRAM 32M PARALLEL 48TFBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 8,010
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS6C3216-55BINTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS6C3216-55BINTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS6C3216-55BINTR, AS6C3216-55BINTR數據表 (總頁數: 12, 大小: 1,056.79 KB)
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AS6C3216-55BINTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小32Mb (2M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-LFBGA
供應商設備包裝48-TFBGA (8x10)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

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安裝類型

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內存大小

2Gb (256M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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