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AS6C4008-55TINTR

AS6C4008-55TINTR

僅供參考

型號 AS6C4008-55TINTR
PNEDA編號 AS6C4008-55TINTR
描述 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 3,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS6C4008-55TINTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS6C4008-55TINTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS6C4008-55TINTR, AS6C4008-55TINTR數據表 (總頁數: 14, 大小: 716.68 KB)
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AS6C4008-55TINTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小4Mb (512K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.7V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝32-TSOP I

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內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

1ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR3

內存大小

24Gb (192M x 128)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

5MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Alliance Memory, Inc.

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內存類型

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128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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