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AS6C8008-55BINTR

AS6C8008-55BINTR

僅供參考

型號 AS6C8008-55BINTR
PNEDA編號 AS6C8008-55BINTR
描述 IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 6,372
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 27 - 五月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS6C8008-55BINTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS6C8008-55BINTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS6C8008-55BINTR, AS6C8008-55BINTR數據表 (總頁數: 11, 大小: 726.94 KB)
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AS6C8008-55BINTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小8Mb (1M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.7V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-LFBGA
供應商設備包裝48-TFBGA (6x8)

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

16-SO

71124S20YG8

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系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存大小

16Mb (4M x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

30ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ms

訪問時間

200ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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