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AT25160AN-10SU-1.8

AT25160AN-10SU-1.8

僅供參考

型號 AT25160AN-10SU-1.8
PNEDA編號 AT25160AN-10SU-1-8
描述 IC EEPROM 16K SPI 20MHZ 8SOIC
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 5,688
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AT25160AN-10SU-1.8資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AT25160AN-10SU-1.8
類別半導體內存IC內存
數據表
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AT25160AN-10SU-1.8規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小16Kb (2K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率20MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.8V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

250kHz

寫周期-字,頁

15ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

24-CDIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

24-CDIP

23LCV512-E/P

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

SPI - Dual I/O

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

M50FW016N5G

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

33MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

250ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-20°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

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內存類型

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

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