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AT25DF161-MH-T

AT25DF161-MH-T

僅供參考

型號 AT25DF161-MH-T
PNEDA編號 AT25DF161-MH-T
描述 IC FLASH 16M SPI 100MHZ 8UDFN
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 2,628
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 4 - 十二月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AT25DF161-MH-T資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AT25DF161-MH-T
類別半導體內存IC內存

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AT25DF161-MH-T規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH
內存大小16Mb (2M x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁7µs, 3ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-UDFN (5x6)

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內存接口

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時鐘頻率

100kHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 6.0V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-DIP

AT24C64N-10SI-2.7

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

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NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

PSRAM

技術

PSRAM (Pseudo SRAM)

內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

48-TFBGA (6x8)

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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