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AT27BV020-90VI

AT27BV020-90VI

僅供參考

型號 AT27BV020-90VI
PNEDA編號 AT27BV020-90VI
描述 IC EPROM 2M PARALLEL 32VSOP
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 6,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AT27BV020-90VI資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AT27BV020-90VI
類別半導體內存IC內存
數據表
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AT27BV020-90VI規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EPROM
技術EPROM - OTP
內存大小2Mb (256K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間90ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
供應商設備包裝32-VSOP

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

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系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II

內存大小

36Mb (2M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

300MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

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Fujitsu Electronics

制造商

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系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FRAM

技術

FRAM (Ferroelectric RAM)

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-XFBGA, WLCSP

供應商設備包裝

8-WLP (2.28x3.09)

IDT7164S20Y8

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

供應商設備包裝

28-SOJ

70V08L20PFGI

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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