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AT28BV64-20SC

AT28BV64-20SC

僅供參考

型號 AT28BV64-20SC
PNEDA編號 AT28BV64-20SC
描述 IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 7,308
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 9 - 十一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AT28BV64-20SC資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AT28BV64-20SC
類別半導體內存IC內存

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AT28BV64-20SC規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小64Kb (8K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁3ms
訪問時間200ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供應商設備包裝28-SOIC

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內存類型

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內存格式

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內存大小

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-VFBGA

供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPSDR

內存大小

128Mb (4M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

125MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

7ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-VFBGA

供應商設備包裝

90-VFBGA (8x13)

MT29E512G08CKCCBH7-6:C

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

512Gb (64G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

152-TBGA

供應商設備包裝

152-TBGA

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制造商

Renesas Electronics America

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

32-TSOP II

MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND (SLC)

內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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