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AT28BV64B-20JA

AT28BV64B-20JA

僅供參考

型號 AT28BV64B-20JA
PNEDA編號 AT28BV64B-20JA
描述 IC EEPROM 64K PARALLEL 32PLCC
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 5,724
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AT28BV64B-20JA資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AT28BV64B-20JA
類別半導體內存IC內存

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AT28BV64B-20JA規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小64Kb (8K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ms
訪問時間200ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-LCC (J-Lead)
供應商設備包裝32-PLCC (13.97x11.43)

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Volatile

內存格式

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內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-TFBGA

供應商設備包裝

90-TFBGA (8x13)

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.4V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP I

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

DRAM - FP

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

30ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

2Mb (128K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.6ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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